場(chǎng)效應(yīng)管分為增強(qiáng)型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強(qiáng)型的管子是需要加電壓才...場(chǎng)效應(yīng)管分為增強(qiáng)型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強(qiáng)型的管子是需要加電壓才能導(dǎo)通的，而耗盡型管子本來(lái)就處于導(dǎo)通狀態(tài)，加?xùn)旁措妷菏菫榱耸蛊浣刂埂?/p>
如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V，那么...如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V，那么當(dāng)MOS在導(dǎo)通瞬間，Soure極電壓會(huì)升高為Drink減壓減去一個(gè)很小的導(dǎo)通壓降，那么Vgs電...
CMOS邏輯電路，分兩部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管電路構(gòu)成，下拉...CMOS邏輯電路，分兩部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管電路構(gòu)成，下拉部分由NMOS管電路組成，如下。上下拉，形成互補(bǔ)。
由于MOS管截止時(shí)漏極和源極之間的內(nèi)阻Ror非常大,所以截止?fàn)顟B(tài)下的等效電路可以...由于MOS管截止時(shí)漏極和源極之間的內(nèi)阻Ror非常大,所以截止?fàn)顟B(tài)下的等效電路可以用斷開的開關(guān)代替,如圖a所示。MOS管導(dǎo)通狀態(tài)下的內(nèi)阻RoN約在1kΩ以內(nèi),而且與VGs的數(shù)...
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；...NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一定的壓差，即VS-VG>VTH。故一...
當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）...當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過(guò)MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3~3.5）V，此時(shí)Ugs為（-3.5）V到（-...
